MUN2130T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MUN2130T1 (ON SEMICONDUCTOR.)	67 636	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MUN2130T1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	1K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	1K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	230mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SC-59

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.