MUN5331DW1T1


MUN5331DW1T1 (заказ)
MUN5331DW1T1
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
MUN5331DW1T1 (ON SEMICONDUCTOR.) 41 379 3-4 недели
Цена по запросу


Технические характеристики MUN5331DW1T1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru