![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 25A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V |
Power - Max | 50W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
NDB603AL (Полевые ДМОП транзисторы) N-channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Также в этом файле: NDP603AL
Производитель:
|
|
Корзина
|