NTB125N02R


Power mosfet 125 a, 24 v n?channel d2pak

Купить NTB125N02R ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTB125N02R
Версия для печати

Технические характеристики NTB125N02R

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C15.9A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3440pF @ 20V
Power - Max1.98W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTB125N02R (MOSFET)

Power MOSFET 125 A, 24 V N?Channel D2PAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTB125N02R datasheet
84.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход