NTHC5513T1G
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A, 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
