NTHD4N02FT1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Power - Max | 910mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
| Product Change Notification | LTB Notification 08/Jan/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
