NTHD4P02FT1G
|
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTHD4P02FT1 (Полевые МОП транзисторы) Power Mosfet and Schottky Diode Также в этом файле: NTHD4P02FT1G
Производитель:
|
 | ДЛ112-10-6 340.00 руб Купить |
 | AM15E-4803SIZ DC/DC преобразователь Р Сощностью 15Р’С‚, РІС…РѕРґ 36-75Р’, выход 3.3Р’ 4Р С’. RРёР·РѕР». 1.5РєР’ Купить |
 | RXEF030 Р ВлеРСент защиты Р С—Р С• току ,СЃР°РСовосстанавливающийся предохранитель МаксиРСальное напряжение РїСЂРё срабатывании 60Р’(72Р’)РўРѕРє  0.3Р С’ Р ЎРѕРїСЂРѕС‚ивле... Купить |
