NTHD5903T1G
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NTHD5903T1G (ON SEMICONDUCTOR.) |
240 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики NTHD5903T1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
