NTHS2101PT1G
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 6.4V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTHS2101P (Мощные полевые МОП транзисторы) Power MOSFET -8.0 V, -7.5A P-Channel ChipFETt Также в этом файле: NTHS2101PT1G
Производитель:
|
