NTJD2152PT1G


Купить NTJD2152PT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTJD2152PT1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
NTJD2152PT1G (ON SEMICONDUCTOR.) 10 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTJD2152PT1G

Gate Charge (Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C775mA
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 570mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds225pF @ 8V
Power - Max270mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTJD2152P (Полевые МОП транзисторы)

Trench Small Signal MOSFET 8 V, Dual P-Channel, SC-88 ESD Protection

Также в этом файле: NTJD2152PT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

NTJD2152PT1G datasheet
60.44Kb
6стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход