NTMD4N03R2G


Купить NTMD4N03R2G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMD4N03R2G
Версия для печати

Технические характеристики NTMD4N03R2G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds400pF @ 20V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
Product Change NotificationWire Change 20/Aug/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход