NTMD6N02R2

Версия для печати

Технические характеристики NTMD6N02R2

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.92A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 16V
Power - Max	730mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMD6N02R2 (MOSFET)

Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts N?Channel Enhancement Mode Dual SO?8 Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTMD6N02R2 datasheet
74.7 Кб