NTR1P02T1G


Купить NTR1P02T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTR1P02T1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
NTR1P02T1G (ON SEMICONDUCTOR.) 1 905 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTR1P02T1G

Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 1.5A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1A
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds165pF @ 5V
Power - Max400mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
Product Change NotificationWire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    0805 30КОМ 5%     KOME Заказ радиодеталей цена радиодетали
    0805 30КОМ 5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    0805 33 КОМ 5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  0805 47КОМ 5% Чип-резистор 47кОм, 5%, 0805   EXTRA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  0805 47КОМ 5% Чип-резистор 47кОм, 5%, 0805     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    0805-13K 1% ЧИП — резистор     178 1.24 
  0805-5.60K 1% ЧИП — резистор 0805, 5,6кОм, 1%     52 1.24 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход