| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 24V |
| Power - Max | 420mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
|
10 002
|
15.06
|
|
|
|
|
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFR9024N |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, ...
|
JSMICRO
|
1 409
|
20.08
|
|
|
|
|
IRL2703PBF |
|
N-LogL 30V 24A 45W 0,04R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRL2703PBF |
|
N-LogL 30V 24A 45W 0,04R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
171
|
|
|
|
|
|
IRL2703PBF |
|
N-LogL 30V 24A 45W 0,04R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRL2703PBF |
|
N-LogL 30V 24A 45W 0,04R
|
|
|
|
|
|
|
|
NTR4502PT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NTR4502PT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NTR4502PT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NTR4502PT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛЛ1 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ 10 нс, 2 мВт/вентиль
|
|
829
|
51.00
|
|
|
|
|
К555ЛЛ1 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ 10 нс, 2 мВт/вентиль
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛЛ1 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ 10 нс, 2 мВт/вентиль
|
МЕЗОН
|
60
|
85.61
|
|
|
|
|
К555ЛЛ1 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ 10 нс, 2 мВт/вентиль
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
|
447
|
29.92
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
МЕЗОН
|
288
|
57.07
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
РОССИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
