PBLS4001V


PBLS4001V (заказ)
PBLS4001V

Технические характеристики PBLS4001V

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V, 40V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA, 500mA
Transistor Type1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
Frequency - Transition300MHz
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-666
КорпусSOT-666
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru