PBRN123ES
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 300mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4116R-1-151 | BOURNS |
|
|
|||||
| 4116R-1-151 | Bourns Inc |
|
|
|||||
 |
4116R-1-431 |
|
Bourns Inc |
|
|
|||
 |
|
PBRN123YS,126 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
 |
TS-A3PS-130 |
|
(SWT6) (TC-0104) кнопка тактовая h=7мм |
|
28.00 | |||
| ФОТОРЕЗИСТ 300Х500 ММ |
|
Фоторезист сухой пленочный толщина50 мкм /разрешающая способность: 102 мкм |
|
|
