PDTA124EE
|
Версия для печати
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTA124EEF (Биполярные PNP транзисторы) Pnp Resistor-equipped Transistor
Производитель:
|
