PDTC114ES


Купить PDTC114ES ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTC114ES
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PDTC114ES (NXP.) 1 032 3-4 недели
Цена по запросу
PDTC114ES (PHILIPS.) 4 800 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTC114ES

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
Power - Max500mW
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
КорпусTO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTC114ES

Npn Resistor-equipped Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTC114ES datasheet
70.87Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
PBRN113ES,126   NXP Semiconductors Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход