PDTC115EEF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 100K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 100K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-89, SOT-490 |
| Корпус | SC-89 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
