PDTC115EEF


Купить PDTC115EEF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTC115EEF
Версия для печати

Технические характеристики PDTC115EEF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)100K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)100K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-89, SOT-490
КорпусSC-89
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SC2331
Биполярный транзистор NPN 80V, 0.7A, 0.9W, 50MHz
131.12 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
VLCW5100
Сверхяркий белый светодиод диаметр 5мм
140.00 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
ECAP 470/450V 3550 105В°C HU4
Конденсатор алюминиевый радиальный электролитический Емкость    470 мкфНапряжение     450ВМакс. температу...
1432.00 СЂСѓР± РљСѓРїРёС‚СЊ
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход