![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2K |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Power - Max | 500mW |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
PDTD123Y (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом) NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 10 k Также в этом файле: PDTD123YS
Производитель:
|
|
Корзина
|