PDTD123YS


Купить PDTD123YS ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTD123YS
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PDTD123YS (NXP.) 5 332 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTD123YS

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max500mW
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
КорпусTO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTD123Y (Биполярные транзисторы с резисторным каскадом)

NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 10 k

Также в этом файле: PDTD123YS

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PDTD123YS datasheet
69.73Kb
10стр.
КЕ032 ИСП.2 ЧЕРН.
Выключатели применяются в подвижных и неподвижных стационарных установках, в том числе химостойких изделиях и кузнечно-прессовом оборудовании Коммутир...
1228.80 руб Купить
AWM3200V
Датчик расхода газа (неагрессивные газы), +5 мбар, с усилителем, Траб -25..+85°С
Купить
IRFP150
МОП-Транзистор, N-канальный, Vси = 100В, Rоткр = 0.055Ом, Ic = 41A, 140Вт
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход