PH5330E

Версия для печати

Технические характеристики PH5330E

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2010pF @ 10V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH5330E (MOSFET)

Trenchmos (tm) enhanced logic level FET

Производитель:
NXP

PH5330E datasheet
112.4 Кб