Версия для печати
Технические характеристики PH7030L

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	68A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1362pF @ 10V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

PH7030L (MOSFET) N-channel TrenchMOS(tm) logic level FET Производитель: NXP PH7030L datasheet 89.1 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC541D		Стандартная логика OCTAL BUS BUFFER	PHILIPS
		74HC541D		Стандартная логика OCTAL BUS BUFFER	NXP
		74HC541D		Стандартная логика OCTAL BUS BUFFER
		74HC541D		Стандартная логика OCTAL BUS BUFFER	NXP
		74HC541D		Стандартная логика OCTAL BUS BUFFER	PHILIPS
		74HC541D		Стандартная логика OCTAL BUS BUFFER
		74HC541D		Стандартная логика OCTAL BUS BUFFER	GR	3	70.04
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)		3	152.40
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NSC
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	24
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NS	20	150.00
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	NS
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263		1	432.00
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	NSC
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	TEXAS
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	YOUTAI	833	54.28
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	UMW-YOUTAI
		LM2576S-3.3		ИМС Стабилизатор ИМП 3.3В 3A TO263	UMW	288	77.74
		TPIC6C596			TEXAS INSTRUMENTS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"