PHB108NQ03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB108NQ03LT (PHILIPS.)	1 737	3-4 недели Цена по запросу
PHB108NQ03LT (NXP.)	11 148	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHB108NQ03LT

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	16.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1375pF @ 12V
Power - Max	187W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB108NQ03LT (MOSFET)

N-channel TrenchMOS(tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHB108NQ03LT datasheet
101.7 Кб