PHB152NQ03LTA

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB152NQ03LTA (PHILIPS.)	4 290	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHB152NQ03LTA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3140pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB152NQ03LTA (MOSFET)

N-channel Trenchmos (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHB152NQ03LTA datasheet
83.8 Кб