PHB160NQ08T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB160NQ08T (NXP.)	532	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHB160NQ08T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	91nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5585pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB160NQ08T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PHB160NQ08T datasheet
89.4 Кб