PHD16N03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHD16N03LT (PHILIPS.)	2 500	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD16N03LT

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	210pF @ 30V
Power - Max	32.6W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD16N03LT (MOSFET)

N-channel Trenchmos (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHD16N03LT datasheet
92.9 Кб