PHD66NQ03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHD66NQ03LT (PHILIPS.)	1 512	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD66NQ03LT

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	66A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 25V
Power - Max	93W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD66NQ03LT (MOSFET)

N-channel TrenchMOS (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHD66NQ03LT datasheet
90.8 Кб