PHT6N06T

Версия для печати

Технические характеристики PHT6N06T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	175pF @ 25V
Power - Max	8.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHT6N06T (MOSFET)

TrenchMOS (tm) standard level FET

Производитель:
NXP

PHT6N06T datasheet
242.6 Кб