| Корпус (размер) | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 3 V ~ 5.5 V |
| Размер памяти | 256 x 8 |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 7KB (4K x 14) |
| Число вводов/выводов | 16 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | UART/USART |
| Скорость | 20MHz |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 16F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LIT
|
24 776
|
16.13
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON
|
2 749
|
24.60
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
71
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
3 172
|
24.00
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LTV
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
615
|
42.24
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLLIGHT
|
5 120
|
25.58
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EL
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
YOUTAI
|
2 720
|
12.28
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVL
|
2 873
|
14.28
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOSHIBA
|
1
|
20.34
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
|
|
432.80
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
196
|
123.20
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MCP602-I/SN |
|
Операционный усилитель 2xOp-Amp LP, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MCP73831T-2ACI/OT |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP73831T-2ACI/OT |
|
|
|
1 357
|
55.92
|
|
|
|
|
MCP73831T-2ACI/OT |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP73831T-2ACI/OT |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт теплый белый 80Лм
|
SEOUL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт теплый белый 80Лм
|
SEOUL
|
|
|
|
|
|
|
NZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт теплый белый 80Лм
|
|
|
|
|
Версия для печати
