Версия для печати
Технические характеристики PIC18F258-I/SO

Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	External
Преобразователи данных	A/D 5x10b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	4.2 V ~ 5.5 V
Размер памяти	1.5K x 8
EEPROM Size	256 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	32KB (16K x 16)
Число вводов/выводов	22
Периферия	Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT
Подключения	CAN, I²C, SPI, UART/USART
Скорость	40MHz
Размер ядра	8-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® 18F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD7820LR		Микросхема АЦП	ANALOG DEVICES
		AD7820LR		Микросхема АЦП			632.00
		AD7820LR		Микросхема АЦП	ANALOG DEVICES
		AD830ANZ		Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8	ANALOG DEVICES
		AD830ANZ		Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8			1 180.00
		AD830ANZ		Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8	ANALOG
		AD830ANZ		Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8	Analog Devices Inc
		AD830ANZ		Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8	США
		AD830ANZ		Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD830ANZ		Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8	AD1
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS	568	20.84
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	NSC
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)		16	94.72
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	КИТАЙ
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	TEXAS
		LM2940T-5.0		СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)	HGSEMI	2 094	22.65
		PIC18F2580-I/SO		32 KB EnhFlash, 256 EE, 1536 RAM	MICRO CHIP
		PIC18F2580-I/SO		32 KB EnhFlash, 256 EE, 1536 RAM			1 149.60
		PIC18F2580-I/SO		32 KB EnhFlash, 256 EE, 1536 RAM	Microchip Technology

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"