| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
INFINEON
|
659
|
16.00
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
|
2
|
40.48
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
SUNTAN
|
2 405
|
6.68
|
|
|
|
|
BCX42 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 125V 0,8A 0,33W B>25
|
INFINEON
|
8
|
15.30
|
|
|
|
|
BCX42 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 125V 0,8A 0,33W B>25
|
|
|
10.32
|
|
|
|
|
BCX42 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 125V 0,8A 0,33W B>25
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCX42 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP 125V 0,8A 0,33W B>25
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 564
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
62
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FUXIN
|
11 772
|
1.01
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS
|
120
|
1.97
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
|
|
4.20
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 036
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
SEMTECH
|
28
|
1.80
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONSEMI
|
352
|
7.30
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
|
|
52.60
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
568
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
VBSEMI
|
|
|
|
Версия для печати
