PSMN070-200B
N-канальный trenchmos™ транзистор
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 17A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 77nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4570pF @ 25V |
| Power - Max | 250W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PSMN070-200B (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel TrenchMOS transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MC33368P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC33368P | ONS |
|
|
||||
|
|
MC33368P | 1 | 333.60 | |||||
|
|
MC33368P | ON SEMICONDUCTOR | 630 |
|
||||
|
|
MC33368P | 1 |
|
|
||||
 |
|
PSMN035-150B |
|
N-канальный полевой транзистор | NXP |
|
|
|
|
|
|
PSMN035-150B |
|
N-канальный полевой транзистор | NXP |
|
|
|
|
|
|
PSMN035-150B |
|
N-канальный полевой транзистор |
|
|
