|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | RC0603 |
Сопротивление (Ом) | 2.26K |
Мощность (Ватт) | 0.1W, 1/10W |
Composition | Thick Film |
Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
Допустимые отклонения емкости | ±1% |
Size / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Высота | 0.022" (0.55mm) |
Number of Terminations | 2 |
Корпус (размер) | 0603 (1608 Metric) |
Tolerance | ±1% |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TCNT2000 | VISHAY | |||||||
TCNT2000 | ||||||||
КД410АМ | 21 958 | 3.04 | ||||||
КД410АМ | ИЗОТОН | |||||||
КД410АМ | ИЗОТОП | 10 861 | 1.60 | |||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 48.45 | ||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 662 | 31.50 | |||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ | ||||||
КТ646А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР | ||||||
ТВС-90ПЦ 8 | ||||||||
УН-9/18-0,3 УМНОЖИТЕЛЬ | 92 | 280.00 |
|