|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AT45DB161D-TU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-TU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
|
16
|
216.00
|
|
|
|
AT45DB161D-TU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-TU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ФРАНЦИЯ
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-TU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
ADESTO
|
|
|
|
|
|
AT45DB161D-TU |
|
Память DataFlash (16 MBit, 100K циклов, SPI-compatible interface RapidS, 66 MHz max ...
|
MICRO CHIP
|
288
|
295.20
|
|
|
|
FM31256-G |
|
FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 ...
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
FM31256-G |
|
FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 ...
|
RAM
|
|
|
|
|
|
FM31256-G |
|
FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 ...
|
|
108
|
334.40
|
|
|
|
FM31256-G |
|
FRAM 32Kбайт + RTC + WDT + PSM + Reset+ PFI/PFO + счетчик событий до 2Е32, I2C до 1 ...
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
MAX232ESE |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX232ESE |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX232ESE |
|
|
|
1
|
165.60
|
|
|
|
MAX232ESE |
|
|
UMW
|
1 520
|
67.06
|
|
|
|
MAX232ESE |
|
|
YOUTAI
|
7 257
|
32.38
|
|
|
|
MAX232ESE |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
MAX485ESA |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX485ESA |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX485ESA |
|
|
|
6
|
44.40
|
|
|
|
MAX485ESA |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX485ESA |
|
|
UMW
|
960
|
14.76
|
|
|
|
MAX485ESA |
|
|
YOUTAI
|
9 707
|
20.33
|
|
|
|
MAX485ESA |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
532
|
43.35
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
|
21.28
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC TAEJIN
|
800
|
25.58
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC
|
1 013
|
20.30
|
|