RFD3055

Версия для печати

Технические характеристики RFD3055

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 25V
Power - Max	53W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RFD3055 (MOSFET)

12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

RFD3055 datasheet
418.3 Кб