RN1113MFV(TPL3)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
RN1113MFV(TPL3) (TOSHIBA.)	4 571	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики RN1113MFV(TPL3)

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	VESM
Корпус	VESM (1.2x1.2)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.