S1G

Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
S1G (VISHAY.)	9	3-4 недели Цена по запросу
S1G (PHILIPS.)	122	3-4 недели Цена по запросу
S1G (FAIRCHILD.)	179	3-4 недели Цена по запросу
S1G	7 200	5.28
S1G (YANGJIE)	8 000	1.66 >100 шт. 0.83
S1G (MIC)	32 000	1.12 >100 шт. 0.56
S1G (TWGMC)	179	1.24

Версия для печати

Технические характеристики S1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 400V
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	1.8µs
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	SMA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC817-40-7-F		DIODES
BC817-40-7-F		DI
BC817-40-7-F		DIODES INC.	2 094
BC817-40-7-F		Diodes Inc
IRFP340	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP340	Транзистор полевой	VISHAY
IRFP340	Транзистор полевой	HARRIS
IRFP340	Транзистор полевой	INTERSIL
IRFP340	Транзистор полевой			139.28
IRFP340	Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.81
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
MMBT5401LT1G	Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
STP11NK40ZFP	N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STP11NK40ZFP	N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	STMicroelectronics
STP11NK40ZFP	N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	КИТАЙ
STP11NK40ZFP	N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP11NK40ZFP	N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...			126.00
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO