SAF-C509-LM

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-10K 5%	ЧИП — резистор 10кОм, 5%, 0805			1.60 >100 шт. 0.80
0805-4.70K 5%	ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 4.7кОм, 5%, 0,125Вт			1.60 >100 шт. 0.80
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	8	94.46
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	187.20
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	395	482.16
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс		1	302.40