|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 5A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 5A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500µA @ 100V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | DO-201AD, Axial |
Корпус | DO-201AD |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CAY16-103J4LF | ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | BOURNS | 3 825 | 2.20 | ||||
CAY16-103J4LF | ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | 8 | 6.76 | |||||
CAY16-103J4LF | ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | BOURNS | ||||||
CAY16-103J4LF | ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | Bourns Inc | ||||||
CAY16-103J4LF | ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | 0.00 | ||||||
CAY16-331J4LF | Bourns Inc | |||||||
CAY16-331J4LF | 5.80 | |||||||
CAY16-331J4LF | BOURNS | 432 | 6.89 | |||||
ICE3BR0665J | Infineon Technologies | |||||||
ICE3BR0665J | INFINEON | |||||||
ICE3BR0665J | INFINEON | |||||||
ICE3BR0665J | ||||||||
T405-600B-TR | ST MICROELECTRONICS | |||||||
T405-600B-TR | STMicroelectronics | |||||||
T405-600B-TR | ST MICROELECTRONICS SEMI | |||||||
T405-600B-TR | ||||||||
Z0107MNT1G | ONS | |||||||
Z0107MNT1G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
Z0107MNT1G |
|