|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
EPM240T100C5N |
|
CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...
|
ALTERA
|
160
|
590.40
|
|
|
|
EPM240T100C5N |
|
CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...
|
|
|
600.00
|
|
|
|
EPM240T100C5N |
|
CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...
|
ALT
|
|
|
|
|
|
EPM240T100C5N |
|
CPLD семейства MAX II (240 ЛЭ или 192 эквив. макроячейки (тип.), 128-240 эквив. ...
|
ALTERA
|
324
|
|
|
|
|
FM1808-70-SG |
|
Память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5:5.5В, -40°:+85°С, Pb-Free
|
RAM
|
|
|
|
|
|
FM1808-70-SG |
|
Память FRAM, 32Кбайт, паралл., 70 нс, 10 млрд.циклов, Uпит=4.5:5.5В, -40°:+85°С, Pb-Free
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
IDT71V321L25PFI |
|
|
IDT
|
|
|
|
|
|
IDT71V321L25PFI |
|
|
|
|
3 274.24
|
|
|
|
IDT71V321L25PFI |
|
|
IDT
|
|
|
|
|
|
IDT71V321L25PFI |
|
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
IDTQS3257Q |
|
|
IDT
|
|
|
|
|
|
IDTQS3257Q |
|
|
IDT
|
2 354
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
США
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
8
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
AD1
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ, 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40..+85°C, RoHS
|
|
|
|
|