SI3483DV-T1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI3483DV-T1 (SILICONIX.)	1 955	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI3483DV-T1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Power - Max	1.14W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.