SI4410DY

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4410DY		259.28
SI4410DY (NXP.)	430	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4410DY

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1350pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4410DY (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

SI4410DY datasheet
119 Кб