SI4425BDY-T1-E3
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATTINY84-20MU | ATMEL | 136 | 440.00 | |||||
| ATTINY84-20MU |
|
|
||||||
| ATTINY84-20MU | MICRO CHIP |
|
|
|||||
 |
 |
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% |
|
85.60 | ||
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% | Bourns Inc |
|
|
|
|
|
|
SDR0604-220YL |
|
Индуктивность 22мкГн, SMD, 15% | BOURNS |
|
|
|
| SGTL5000XNAA3 | FREESCALE |
|
|
|||||
| SGTL5000XNAA3 |
|
551.60 | ||||||
| SGTL5000XNAA3 | Freescale Semiconductor |
|
|
|||||
| SGTL5000XNAA3 | FRS |
|
|
|||||
| SGTL5000XNAA3 | FREESCALE SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SGTL5000XNAA3 | NXP/FRS |
|
|
|||||
| SGTL5000XNAA3 | NXP |
|
|
|||||
 |
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ... |
|
24.80 | ||
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| КР159НТ1Д | 84 | 45.90 | ||||||
| КР159НТ1Д | ТОНДИ | 27 911 | 4.00 |
