SI4925BDY-T1


Купить SI4925BDY-T1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4925BDY-T1
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI4925BDY-T1 (SILICONIX.) 1 105 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4925BDY-T1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET Type2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 7.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 10V
Power - Max1.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4925BDY

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Также в этом файле: SI4925BDY-T1

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

SI4925BDY-T1 datasheet
66.25Kb
5стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход