SI4966DY-T1-E3
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | Р В РЎСџР В РЎв„ў16-12Р В РўС’3013 РџСЂРµРТвЂВВВназначен Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля установкРцРЅР° Р В Р’В Р РЋР’ВВВонтажную панель (внутрРцшкафа) 'НапряженРСвЂВВВР В Р’Вµ, Р В РІР‚в„ў постоянного тока 1-30 переРСВВВВенного тока 1-250 РўРѕРє, Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў постоянный... 1909.68 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | Р”141-100Р В РўС’-14 1771.60 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | HLMP-NG07 3 Р В Р’В Р РЋР’ВВВРѠсветоРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВРѕР҆РТвЂВВВля автоРСВВВВатРСвЂВВВческого Р В Р’В Р РЋР’ВВВонтажа РљСѓРїРСвЂВВВть |
