SP8M10TB

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SP8M10TB (ROHM.)	314	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SP8M10TB

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7A, 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	600pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.