SPB100N06S2-05


Купить SPB100N06S2-05 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SPB100N06S2-05
Версия для печати

Технические характеристики SPB100N06S2-05

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияOptiMOS™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7 mOhm @ 80A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C100A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs170nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6800pF @ 25V
Power - Max300W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусP-TO263-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPB100N06S2-05

Optimos Power-transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPB100N06S2-05 datasheet
315.77Kb
8стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход