SPB80N06S2L-11
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2650pF @ 25V |
| Power - Max | 158W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | P-TO263-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SPB80N06S2L-11 Optimos Power-transistor
Производитель:
|
