STI14NM65N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STI14NM65N (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	626	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STI14NM65N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	MDmesh™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 50V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	I2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STI14NM65N (MOSFET)

N-channel 650 V, 0.33 ?, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET I?PAK

Производитель:
STMicroelectronics

STI14NM65N datasheet
548.6 Кб